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BPW85C中文资料

BPW85C图片

BPW85C外观图

  • 大小：99KB
  • 厂家：
  • 描述：Phototransistor 850nm Top View Radial
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：Phototransistors
  • 最大功率耗散：100 mW
  • 最大暗电流：200 nA
  • 封装 / 箱体：T-1
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：70 V
  • 集电极—射极饱和电压：0.3 V
  • 最大工作温度：+ 100 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 封装：Bulk
  • 产品：Phototransistor
  • 工厂包装数量：5000
  • 类型：Chip
  • 波长：850 nm

BPW85C供应商

更新时间:2023-01-11 22:37:56
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